2025年11月5日～7日に仙台市で開催されたThe 2025 International Workshop on “Dielectric Thin Films for Future Electron Devices: Science and Technology” (IWDTF2025) において、物質系専攻喜多研究室 の田村敦史助教 がBest Paper Awardを受賞しました。

発表タイトル

"Impact of Substrate-Surface Oxidation Treatment and Post-Deposition Annealing on β-Ga₂O₃ (001) MOS Interfaces with ALD-Deposited Al₂O₃ and SiO₂"

写真左から金田 千穂子教授（東北大学, Organizing Committee Chairperson)、田村敦史助教。