田村 敦史
(たむら あつし／助教／基盤科学研究系)
物質系専攻／マテリアル・機能設計学講座／Ga2O3 MOS界面の理解・制御と、酸化物界面におけるダイポール効果の研究
略歴
2019年3月 東京大学 工学部 マテリアル工学科 卒業
2021年3月 東京大学 工学系研究科 マテリアル工学専攻 修士課程修了
2024年3月 東京大学 工学系研究科 マテリアル工学専攻 博士課程修了
2024年4月 東京大学生産技術研究所 持続型材料エネルギーインテグレーション研究センター 特任助教
2025年4月より現職
研究活動
・次世代パワーデバイス材料として期待されるβ-Ga2O3を対象として、絶縁膜と半導体の界面の特性をプロセスの条件によって向上させ、その機構を理解することを目指しています。
・最先端半導体デバイスにおけるゲート絶縁膜の形成手法の検討を行っています。
文献
[1] A. Tamura, H. Imaida, and K. Kita, "Low-temperature (600 °C) formation of Al2O3/β-Ga2O3 interface with low interface state density employing substrate-surface O3 treatment processes" Appl. Phys. Lett. 128, 183505 (2026).
[2] A. Tamura, T. Mandai, S. Yagi, "Modeling for Homogeneous Mg Electrodeposition on Mg Metal Negative Electrode in Rechargeable Mg batteries" Materials Today Communications 48, 113325 (2025).
[3] A. Tamura, and K. Kita, “Verification of modulation mechanism of the interfacial dipole effect by changing the stacking sequence of monatomic layers in perovskite oxides” J. Appl. Phys. 134, 235301 (2023).
[4] A. Tamura, S. Jang, Y.-G. Park, H. Lim, and K. Kita “Opportunity for Band Alignment Manipulation of Perovskite Oxide Stacks by Interfacial Dipole Layer Formation” Solid-State Electronics 185, 108128 (2021).